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IDH08G65C5XKSA2

IDH08G65C5XKSA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

二极管 碳化硅肖特基 8A(DC) 通孔 PG-TO220-2-1


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-1


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES


艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube


IDH08G65C5XKSA2中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7 V

耗散功率 76 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 8000 mA

正向电流Max 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 76000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IDH08G65C5XKSA2引脚图与封装图
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