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IPC50N04S5L5R5ATMA1

IPC50N04S5L5R5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0044 ohm, 10 V, 1.6 V

Summary of Features:

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OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
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N-channel - Enhancement mode - Logic Level
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AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green Product RoHS compliant
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100% Avalanche tested
IPC50N04S5L5R5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0044 Ω

极性 N-CH

耗散功率 42 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 1209pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-33

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8-33

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPC50N04S5L5R5ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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