IPB180N08S4-02
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
极性 N-CH
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 15 ns
下降时间 50 ns
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS-conform
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IPB180N08S4-02 | Infineon 英飞凌 | 80V,180A,2.2mΩ,N沟道汽车MOSFET | 搜索库存 |