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IPA126N10N3 G

IPA126N10N3 G

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
IPA126N10N3 G


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 35A TO220FP-3 OptiMOS 3


儒卓力:
**N-CH 100V 35A 12,6mOhm TO220FP **


IPA126N10N3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 33 W

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 1880pF @50VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPA126N10N3 G引脚图与封装图
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IPA126N10N3 G Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存