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IPP77N06S2-12

IPP77N06S2-12

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Summary of Features:

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• N-channel - Enhancement mode
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• Automotive AEC Q101 qualified
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• MSL1 up to 260°C peak reflow
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• 175°C operating temperature
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• Green package lead free
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• Ultra low Rdson
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• 100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPP77N06S2-12中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 77A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.4 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP77N06S2-12引脚图与封装图
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