IPP80N04S3-03
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPP80N04S3-03中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 7300pF @25VVds
额定功率Max 188 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPP80N04S3-03引脚图与封装图
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在线购买IPP80N04S3-03
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP80N04S3-03 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPP80N04S3-03
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP80N04S3-03 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 40V 80A | 当前型号 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPI80N04S3-03 品牌： 英飞凌 封装： I2PAK-3 N-CH 40V 80A | 类似代替 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | IPP80N04S3-03和IPI80N04S3-03的区别 |
| 型号： IPP80N04S2L-03 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 40V 80A | 类似代替 | OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor | IPP80N04S3-03和IPP80N04S2L-03的区别 |