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IS42RM16800H-6BLI-TR

IS42RM16800H-6BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It

SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA


立创商城:
IS42RM16800H 6BLI TR


贸泽:
DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA T/R


IS42RM16800H-6BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.5 ns

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IS42RM16800H-6BLI-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42RM16800H-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga 8mmx8mm Rohs, It 搜索库存
替代型号IS42RM16800H-6BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42RM16800H-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-54

当前型号

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型号: IS42RM16800G-6BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

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IS42RM16800H-6BLI-TR和IS42RM16800G-6BLI-TR的区别