IXGH32N90B2

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 900V 64A 300W Through Hole TO-247AD IXGH

得捷:
IGBT 900V 64A 300W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 3-Pin3+Tab TO-247

IXGH32N90B2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGH32N90B2引脚图与封装图

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