IXDP35N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXDP35N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3Pin3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |