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IXDP35N60B

IXDP35N60B

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

High Speed, Low Saturation Voltage

Features

● NPT IGBT technology

● low switching losses

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

●positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard package

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies UPS

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDP35N60B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.82 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXDP35N60B引脚图与封装图
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