IPI200N25N3GAKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 250V 64A

通孔 N 通道 250 V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3

立创商城:
N沟道 250V 64A

得捷:
MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin3+Tab TO-262

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3

IPI200N25N3GAKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

极性 N-CH

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 64A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 5340pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPI200N25N3GAKSA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IPI200N25N3GAKSA1

型号	制造商	描述	购买
IPI200N25N3GAKSA1	Infineon 英飞凌	N沟道 250V 64A	搜索库存