IPD60R400CEATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 600V 10.3A

表面贴装型 N 通道 10.3A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
N-沟道 600 V 10.3 A 400 mΩ 32 nC CoolMOS CE 功率晶体管 - DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD60R400CEATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 112 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 700pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD60R400CEATMA1引脚图与封装图

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