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IPW65R420CFDFKSA1

IPW65R420CFDFKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R420CFDFKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R420CFDFKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 650 V, 0.378 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.7A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3


IPW65R420CFDFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83.3 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.378 Ω

极性 N-CH

耗散功率 83.3 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 870pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPW65R420CFDFKSA1引脚图与封装图
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