IXGF20N250
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGF20N250中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 2500 V
额定功率Max 100 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 i4-Pac
外形尺寸
封装 i4-Pac
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGF20N250引脚图与封装图
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