IPB04N03LA
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB04N03LA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 107000 mW
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 3877pF @15VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IPB04N03LA引脚图与封装图
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在线购买IPB04N03LA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB04N03LA | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB04N03LA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB04N03LA 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 25V 80A | 当前型号 | 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB04N03LAG 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 25V 80A 3.88nF | 完全替代 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | IPB04N03LA和IPB04N03LAG的区别 |
| 型号： IPB04N03LAT 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 25V 80A 3.88nF | 功能相似 | D2PAK N-CH 25V 80A | IPB04N03LA和IPB04N03LAT的区别 |