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IPA65R190C6XKSA1

IPA65R190C6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

PG-TO220 整包

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA65R190C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 34 W

极性 N-CH

耗散功率 34 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPA65R190C6XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPA65R190C6XKSA1 Infineon 英飞凌 PG-TO220 整包 搜索库存
替代型号IPA65R190C6XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IPA65R190C6XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220FP-3 N-CH 700V 20.2A

当前型号

PG-TO220 整包

当前型号

型号： SPA20N65C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

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