额定电压DC 600 V
额定电流 14.0 A
通道数 1
漏源极电阻 550 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
输入电容 2.30 nF
栅电荷 38.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2500pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFA14N60P | IXYS Semiconductor | Single N-Channel 600V 300W 36NC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFA14N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263 N-Channel 600V 14A 550mΩ 2.3nF | 当前型号 | Single N-Channel 600V 300W 36NC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 | 当前型号 | |
型号: IXFH14N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 600V 14A 550mΩ 2.3nF | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFA14N60P和IXFH14N60P的区别 | |
型号: IXFA14N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 600V 14A | 类似代替 | TO-263AA N-CH 600V 14A | IXFA14N60P和IXFA14N60P3的区别 | |
型号: IXFP14N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 N-Channel 600V 14A 550mΩ 2.3nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3Pin3+Tab TO-220 | IXFA14N60P和IXFP14N60P的区别 |