IPI100N04S4H2AKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPI100N04S4H2AKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 115W Tc
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 5520pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPI100N04S4H2AKSA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI100N04S4H2AKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI100N04S4H2AKSA1, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 搜索库存 |