锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPA65R150CFDXKSA1

IPA65R150CFDXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

PG-TO220 整包

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R150CFDXKSA1, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 650V 22.4A


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 34.7W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


IPA65R150CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 34.7 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 135 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 34.7 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 22.4A

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 2340pF @100VVds

下降时间 5.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34.7W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA65R150CFDXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPA65R150CFDXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPA65R150CFDXKSA1 Infineon 英飞凌 PG-TO220 整包 搜索库存