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IPA60R600C6XKSA1

IPA60R600C6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 600V 7.3A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP


IPA60R600C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-CH

耗散功率 28 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPA60R600C6XKSA1引脚图与封装图
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IPA60R600C6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装 搜索库存