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IS42S16800E-6BL-TR

IS42S16800E-6BL-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S16800E-6BL-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S16800E-6BL-TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S16800E-6BL-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v 搜索库存
替代型号IS42S16800E-6BL-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S16800E-6BL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

当前型号

动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

当前型号

型号: IS42S16800F-6BL-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 54-TFBGA

完全替代

128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166MHz, 54 ball BGA 8mmx8mm ROHS, T&R

IS42S16800E-6BL-TR和IS42S16800F-6BL-TR的区别