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IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF

数据手册.pdf

功率MOSFET Power MOSFET

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

•Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Surface Mount

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

IRF530STRRPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 34 ns

下降时间 24 ns

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IRF530STRRPBF引脚图与封装图
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