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IMH5AT108
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SMT NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6


得捷:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 6-Pin SMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SMT T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6


DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 30MA SOT-457


IMH5AT108中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 30.0 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IMH5AT108引脚图与封装图
IMH5AT108引脚图

IMH5AT108引脚图

IMH5AT108封装图

IMH5AT108封装图

IMH5AT108封装焊盘图

IMH5AT108封装焊盘图

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