IXDI502D1T/R
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
主动器件
IXDI502D1T/R中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns
电源电压 4.5V ~ 30V
电源电压Min 4.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VDFN-6
外形尺寸
封装 VDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXDI502D1T/R引脚图与封装图
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在线购买IXDI502D1T/R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXDI502D1T/R | IXYS Semiconductor | IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 6-DFN | 搜索库存 |
替代型号IXDI502D1T/R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXDI502D1T/R 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 当前型号 | IC MOSF DRVR FAST DUAL INV 6-DFN | 当前型号 |
| 型号： IXDI502D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Surface | 完全替代 | IC GATE DRIVER DUAL 2A 6-DFN | IXDI502D1T/R和IXDI502D1的区别 |