
上升/下降时间 8 ns
输出接口数 2
输出电流 4 A
上升时间 8 ns
输出电流Max 4 A
下降时间 8 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
安装方式 Surface Mount
封装 QFN-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 QFN-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

ISL6609IRZ-T引脚图

ISL6609IRZ-T封装图

ISL6609IRZ-T封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ISL6609IRZ-T | Intersil 英特矽尔 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ISL6609IRZ-T 品牌: Intersil 英特矽尔 封装: QFN | 当前型号 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | 当前型号 | |
型号: ISL6609IRZ 品牌: 英特矽尔 封装: QFN | 完全替代 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | ISL6609IRZ-T和ISL6609IRZ的区别 | |
型号: ISL6605IRZA-T 品牌: 英特矽尔 封装: QFN 5.5V 8Pin | 完全替代 | Driver 4A 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin QFN EP T/R | ISL6609IRZ-T和ISL6605IRZA-T的区别 | |
型号: ISL6609CBZ-T 品牌: 英特矽尔 封装: SOIC-8 5.5V 8Pin | 类似代替 | 同步整流MOSFET驱动器 Synchronous Rectified MOSFET Driver | ISL6609IRZ-T和ISL6609CBZ-T的区别 |