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IS46DR16640B-25EBLA1-TR

IS46DR16640B-25EBLA1-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8V

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 400MHz 400ps 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
DRAM 1G 64Mx16 400MHz DDR2 1.8v


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V Automotive 84-Pin TW-BGA T/R


IS46DR16640B-25EBLA1-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 2.5 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-84

外形尺寸

封装 TFBGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS46DR16640B-25EBLA1-TR引脚图与封装图
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