IS42VM32160E-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动存储器 IC 512Mb（16M x 32）并联 90-TFBGA（8x13）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V

Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA

IS42VM32160E-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 130 mA

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS42VM32160E-6BLI引脚图与封装图

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