IS41LV16256B-35T
数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI
电子元器件分类
IS41LV16256B-35T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
存取时间 35.0 ns
内存容量 4000000 B
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
IS41LV16256B-35T引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IS41LV16256B-35T | Integrated Silicon SolutionISSI | DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin TSOP-II | 搜索库存 |
替代型号IS41LV16256B-35T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IS41LV16256B-35T 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP 4000000B 3.3V 35ns | 当前型号 | DRAM Chip EDO 4Mbit 256Kx16 3.3V 40Pin TSOP-II | 当前型号 |
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