额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.0 A
额定功率 2.5 W
漏源极电阻 12.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7466
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 2.80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7466PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7466PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 11A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC | 当前型号 | |
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型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7466PBF和STS11NF30L的区别 | |
型号: STS11N3LLH5 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS11N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V | IRF7466PBF和STS11N3LLH5的区别 |