IXFV22N60PS
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV22N60PS中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 22.0 A
通道数 1
漏源极电阻 350 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 400 W
输入电容 3.60 nF
栅电荷 58.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 22.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 400 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLUS-220-SMD-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 15 mm
高度 4.7 mm
封装 PLUS-220-SMD-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV22N60PS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFV22N60PS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV22N60PS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
替代型号IXFV22N60PS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV22N60PS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 600V 22A 350mohms 3.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 当前型号 |
| 型号： IXFH22N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 22A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFV22N60PS和IXFH22N60P3的区别 |
| 型号： IXFQ22N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 600V 22A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFV22N60PS和IXFQ22N60P3的区别 |
| 型号： IXFH22N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 22A 350mΩ 3.6nF | 功能相似 | Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247 | IXFV22N60PS和IXFH22N60P的区别 |