IXFV36N50P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV36N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 36.0 A
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 540 W
输入电容 5.50 nF
栅电荷 93.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 540W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 4.7 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV36N50P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFV36N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV36N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 搜索库存 |
替代型号IXFV36N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV36N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-Channel 500V 36A 170mohms 5.5nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 当前型号 |
| 型号： IXTH36N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 5.5nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 V | IXFV36N50P和IXTH36N50P的区别 |
| 型号： IXFH30N50Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 30A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFV36N50P和IXFH30N50Q3的区别 |
| 型号： IXFH36N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 170mΩ 5.5nF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFV36N50P和IXFH36N50P的区别 |