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IPP029N06NAKSA1

IPP029N06NAKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

OptiMOS™5 功率 MOSFET


欧时:
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3


立创商城:
IPP029N06NAKSA1


贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 100A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP029N06NAKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 / N-Channel 60 V 24A Ta, 100A Tc 3W Ta, 136W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP029N06NAKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 136 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 4100pF @30VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, , Isolated DC-DC converters, Industrial, 便携式器材, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, 通信与网络, Power Management, 电机驱动与控制, Consumer Electronics, Communications & Networ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP029N06NAKSA1引脚图与封装图
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