IDK12G65C5XTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Diode Schottky 650V 12A 2Pin TO-263 T/R

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A DC Surface Mount PG-TO263-2

得捷:
RECTIFIER DIODE

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES

艾睿:
Diode Schottky 650V 12A T/R

安富利:
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin TO-263 T/R

TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 12A; 104W; PG-TO263-2

IDK12G65C5XTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 104 W

负载电流 12 A

正向电压 1.8V @12A

耗散功率 104 W

反向恢复时间 0 ns

正向电流 12 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 97 A

正向电流Max 12 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 104000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IDK12G65C5XTMA1引脚图与封装图

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