额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7413
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 8.00 ns
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7413PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7413PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: SOIC N-Channel 30V 13A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin SOIC Tube | 当前型号 | |
型号: STS11NF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC N-Channel 30V 11A 8.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRF7413PBF和STS11NF30L的区别 |