IRGB30B60K
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGB30B60K中文资料参数规格
技术参数
额定功率 370 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 370 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRGB30B60K引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRGB30B60K
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGB30B60K | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号IRGB30B60K
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGB30B60K 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： IRGB30B60KPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB 370000mW | 完全替代 | INFINEON IRGB30B60KPBF 单晶体管, IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | IRGB30B60K和IRGB30B60KPBF的区别 |