IXGH32N60AU1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH32N60AU1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 60.0 A
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH32N60AU1引脚图与封装图
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在线购买IXGH32N60AU1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH32N60AU1 | IXYS Semiconductor | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | 搜索库存 |
替代型号IXGH32N60AU1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH32N60AU1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 600V 60A | 当前型号 | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | 当前型号 |
| 型号： IXGH36N60A3D4 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 220000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 36A 220000mW 3Pin3+Tab TO-247 | IXGH32N60AU1和IXGH36N60A3D4的区别 |
| 型号： STGW30NC60WD 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 600V 60A 200000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | IXGH32N60AU1和STGW30NC60WD的区别 |