IRG4P254SPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 晶体管 250V DC-1kHz

IGBT 250V 98A 200W Through Hole TO-247AC

得捷:
IGBT 250V 98A 200W TO247AC

贸泽:
IGBT 晶体管 250V DC-1kHz

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 250V 98A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 250V 98A 3-Pin3+Tab TO-247AC

Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRG4P254SPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG4P254SPBF引脚图与封装图

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