FZTA42TC
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
FZTA42TC中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
最大电流放大倍数hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FZTA42TC引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FZTA42TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FZTA42TC 品牌： Diodes 美台 封装： | 当前型号 | 达林顿晶体管 NPN High Voltage | 当前型号 |
| 型号： FZTA42TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 300V 500mA 2000mW | 类似代替 | FZTA42TA 编带 | FZTA42TC和FZTA42TA的区别 |
| 型号： BCP56-16T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 100 hFE | FZTA42TC和BCP56-16T1G的区别 |
| 型号： BCP56-10T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE | FZTA42TC和BCP56-10T1G的区别 |