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FS150R17PE4BOSA1

FS150R17PE4BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.95 V, 835 W, 1.7 kV, Module

Summary of Features:

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Extended Operation Temperature Tvj op
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Low VCEsat
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VCEsat with positive Temperature Coefficient
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High Power Density
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Isolated Base Plate
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Standard Housing

Benefits:

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Compact Modules
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Easy and most reliable assembly
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No Plugs and Cables required
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Ideal for Low Inductive System Designs
FS150R17PE4BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 835 W

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 13.5nF @25V

额定功率Max 835 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 835000 mW

封装参数

引脚数 20

封装 AG-ECONO4-1

外形尺寸

封装 AG-ECONO4-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Uninterruptible Power Supply UPS, Traction, Wind

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FS150R17PE4BOSA1引脚图与封装图
FS150R17PE4BOSA1电路图

FS150R17PE4BOSA1电路图

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FS150R17PE4BOSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.95 V, 835 W, 1.7 kV, Module 搜索库存