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FP50R12KT4GB15BOSA1

FP50R12KT4GB15BOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon FP50R12KT4GB15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装

IGBT 模块,

**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。

IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


得捷:
IGBT MOD 1200V 50A 280W


欧时:
Infineon FP50R12KT4GB15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 25A 35-pin ECONO3-3


Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray


FP50R12KT4GB15BOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 280 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2.8nF @25V

额定功率Max 280 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 280000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 35

封装 ECONO3-3

外形尺寸

长度 122 mm

宽度 62 mm

高度 17 mm

封装 ECONO3-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FP50R12KT4GB15BOSA1引脚图与封装图
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FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon 英飞凌 Infineon FP50R12KT4GB15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 35引脚 ECONO3封装 搜索库存