FDD6676S
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6676S中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 6.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 78.0 A
上升时间 13 ns
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD6676S引脚图与封装图
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在线购买FDD6676S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6676S | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD6676S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6676S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 78A 6mΩ | 当前型号 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD6676AS 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 90A 4.7mohms 2.5nF | 类似代替 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | FDD6676S和FDD6676AS的区别 |