FDS6299S
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6299S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 3.90 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 3.88 nF
栅电荷 58.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3880pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6299S引脚图与封装图
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在线购买FDS6299S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6299S | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ | 搜索库存 |
替代型号FDS6299S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6299S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 21A 3.9mohms 3.88nF | 当前型号 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ | 当前型号 |
| 型号： FDS6699S 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 21A 3.6mohms 3.61nF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V | FDS6299S和FDS6699S的区别 |
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