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FDA15N65
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

650V N沟道MOSFET 650V N-Channel MOSFET

N-Channel 650V 16A Tc 260W Tc Through Hole TO-3PN


得捷:
MOSFET N-CH 650V 16A TO3PN


立创商城:
N沟道 650V 16A


贸泽:
MOSFET 650V N-CH MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN


FDA15N65中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 440 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 260 W

输入电容 3.09 nF

栅电荷 63.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 125 ns

输入电容Ciss 3095pF @25VVds

额定功率Max 260 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 260W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDA15N65引脚图与封装图
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