FJNS4209RBU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJNS4209RBU中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 3.7 mm
封装 TO-226-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJNS4209RBU引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJNS4209RBU | Fairchild 飞兆/仙童 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP/50V/100mA/4.7K | 搜索库存 |