锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDPF20N50FT

FDPF20N50FT

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 500V 20A Tc 38.5W Tc Through Hole TO-220F-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


欧时:
### UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


富昌:
FDPF20N50FT - N沟道 500 V 0.26 Ω 38.5 W UNIFET Mosfet - TO-220F


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F


FDPF20N50FT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 38.5 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 3390pF @25VVds

额定功率Max 38.5 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.9 mm

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDPF20N50FT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDPF20N50FT
型号 制造商 描述 购买
FDPF20N50FT Fairchild 飞兆/仙童 UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存