FQD7P20TM_F080
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD7P20TM_F080中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 690 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 5.7A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 770pF @25VVds
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 55W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQD7P20TM_F080引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| FQD7P20TM_F080 | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET Trans MOS P-Ch 200V 5.7A 3Pin 2+Tab | 搜索库存 |