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FMB3946
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FMB3946  双极性晶体管, NPN与PNP, 40V, SSOT-6, 整卷

This complementary device is designed for use as a general purpose amplifier and switch The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66. See FFB3904 NPN and FFB3906 PNP for characteristics.


欧时:
### 双路和四路多片晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN & PNP Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R


富昌:
NPN/PNP 40 V 200 mA 700 mW SMT General Purpose Amplifier - SSOT-6


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FMB3946  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 40 V, 700 mW, 200 mA, 300 hFE, SuperSOT


Win Source:
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A 6SSOT


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN/PNP 40V SSOT-6


FMB3946中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电流 200 mA

针脚数 6

极性 N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 700 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 700 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FMB3946引脚图与封装图
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FMB3946 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FMB3946  双极性晶体管, NPN与PNP, 40V, SSOT-6, 整卷 搜索库存