DMHC3025LSDQ-13

Diodes(美台) 分立器件

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel H-Bridge 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

贸泽:
MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

艾睿:
MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A 8-Pin SOIC T/R

Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R

DMHC3025LSDQ-13中文资料参数规格

技术参数

通道数 4

极性 N+P

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30 V

连续漏极电流Ids 6A/4.2A

输入电容Ciss 590pF @15VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DMHC3025LSDQ-13引脚图与封装图

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