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DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

场效应管

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 3.8A 1.4W 表面贴装型 U-DFN2020-6(B 类)


得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN


立创商城:
2个P沟道 20V 3.8A


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Diodes Zetex&s;s DMP2160UFDB-7 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
Dual P-Ch Enhancement Mode MOSFET DFN6


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R


富昌:
Dual P-Channel 20 V 70 mΩ Enhancement Mode Mosfet - U-DFN2020-6


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive 6-Pin DFN T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A Automotive 6-Pin DFN T/R


Win Source:
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET


DMP2160UFDB-7中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.4 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.8A

上升时间 12.09 ns

输入电容Ciss 536pF @10VVds

额定功率Max 1.4 W

下降时间 27.54 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMP2160UFDB-7引脚图与封装图
DMP2160UFDB-7引脚图

DMP2160UFDB-7引脚图

DMP2160UFDB-7封装图

DMP2160UFDB-7封装图

DMP2160UFDB-7封装焊盘图

DMP2160UFDB-7封装焊盘图

在线购买DMP2160UFDB-7
型号 制造商 描述 购买
DMP2160UFDB-7 Diodes 美台 场效应管 搜索库存
替代型号DMP2160UFDB-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DMP2160UFDB-7

品牌: Diodes 美台

封装: UDFN-6 P-CH 20V 3.8A

当前型号

场效应管

当前型号

型号: DMP2130LDM-7

品牌: 美台

封装: SOT-26 P-CH 20V 3.4A

功能相似

P沟道,Vdss=20V,Idss=3.4A

DMP2160UFDB-7和DMP2130LDM-7的区别