DDTB123EU-7-F
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DDTB123EU-7-F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 39 @50mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
高度 0.95 mm
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DDTB123EU-7-F引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| DDTB123EU-7-F | Diodes 美台 | Trans Digital BJT PNP 500mA 3Pin SOT-323 T/R | 搜索库存 |