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DDTC114GUA-7-F

DDTC114GUA-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

Do you need a device that can offer the benefits of traditional BJTs with the compatibility for digital signal processors? The NPN digital transistor from Zetex is your solution. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 30@5mA@5 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.3@0.5mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

DDTC114GUA-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

DDTC114GUA-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTC114GUA-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTC114GUA-7-F Diodes 美台 双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K 搜索库存
替代型号DDTC114GUA-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DDTC114GUA-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 200mW

当前型号

双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K

当前型号

型号: DDTC114GUA-7

品牌: 美台

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

类似代替

TRANS PREBIAS NPN 200mW SOT323

DDTC114GUA-7-F和DDTC114GUA-7的区别